揚(yáng)杰科技近日推出了新一代TO-220/TO-263封裝 650V IGBT單管，產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺，極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗，產(chǎn)品參數(shù)一致性好，可靠性優(yōu)良。并且器件的導(dǎo)通壓降低，通流能力極強(qiáng)，適用于脫毛儀這類對通流能力要求高的應(yīng)用領(lǐng)域。

1. 精細(xì)微溝槽工藝平臺，極具性價比的芯片方案；
2. 電壓等級為650V，電流等級為50A@Tc=100℃ ；
3. 低導(dǎo)通損耗，適用于大電流應(yīng)用領(lǐng)域；
4. 具有較強(qiáng)的通流能力，Icm可達(dá)300A